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扩频晶振SSXO

SiTime扩频晶振SSXO

 

SiTime的EMI扩频晶振SSXO通过扩频时钟和时钟信号的上升/下降时间调整来确保发射合规性。 SiTime的Time Machine II编程器支持扩频晶振SSXO,使工程师能够快速降低排放水平并确保客户通过合规性。

 

单端扩频晶振

SiTime可编程扩频晶振可确保用户产品满足相关辐射标准,加快产品营收。辐射不合规(产品辐射无法满足相关标准)常常发生在产品开发的最后阶段,造成不可预见的故障排除和昂贵的生产延迟。通过扩频时钟信号和调整信号的上升、下降沿,允许设计人员(通过现场编程的方式实时)降低辐射度。

  •  基本频率高达17 dB,谐波高达30 dB

  •  广泛的传播范围:峰对峰率高达4%

  •  FlexEdge?可配置的上升/下降时间选项:转换速率为0.25 ns至40 ns

 

型号

频率范围

频率稳定度

(ppm)

输出类型

工作电压

工作温度范围

(°C)

封装尺寸

(mm)

SiT9005

1MHz - 141MHz

±20
  ±25
  ±50

LVCMOS

1.8V

2.5 to 3.3V

-20 ~ +70
  -40 ~ +85

2.0x1.6

2.5x2.0

3.2x2.5

SiT9003

1MHz - 110MHz

±50
  ±100

LVCMOS

1.8V

2.5V

2.8V

3.3V

-20 ~ +70
  -40 ~ +85

2.5x2.0x0.75

3.2x2.5x0.75

5.0x3.2x0.75

7.0x5.0x0.9

 

 

差分扩频晶振

SiTime差分扩频晶振系列是单芯片解决方案,可替代扩频 IC 和外部晶体。差分扩频晶振包括可编程驱动强度功能,通过放慢时钟的上升和下降时间和改善时钟接收器 (RX) 下游抖动,将系统辐射电磁干扰 (EMI) 降低了 12 dB。这些特性保持全摆幅的同时驱动大容性负载。

 

  •  业界最佳的周期间抖动,低至15ps

  •  使系统设计人员可以最大程度地减少对时序预算的影响

  •  取决于系统的EMI降低,三次谐波最高降低-17 dB,基本峰值功率(100 MHz扩频频率)降低-12 dB

  •  具有成本效益的EMI降低和最快的上市时间

  •  灵活的扩频选项:

  •  多种中心扩展/向下扩展调制模式

  •  提供扩展禁用模式:在系统设计中优化EMI性能

 

型号

频率范围

频率稳定度

(ppm)

输出类型

工作电压

工作温度范围

(°C)

封装尺寸

(mm)

SiT9002

1MHz - 220MHz

±25
  ±50

CML

HCSL

LVDS

LVPECL

1.8V

2.5V

3.3V

-20 ~ +70
  -40 ~ +85

5.0x3.2x0.75

7.0x5.0x0.9