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MHz有源晶振

SiTime  MHz有源晶振

 

SiTime提供了完整的单端MHz有源晶振产品组合。 SiTime MEMS单端有源晶振具有石英晶振无法提供的可配置功能,并被设计用于更高的可靠性,更短的交货时间,并解决独特的时序问题,例如EMI和温漂。 SiTime MEMS单端有源晶振完全兼容替代传统石英晶振,而无需任何设计或电路板布局更改。

 

单端低功耗有源晶振

 

SiTime为消费,工业,物联网和网络应用提供了广泛的单端低功耗有源晶振产品组合。 具有1-137MHz频率范围,支持1.8-3.3 V电源电压自动适配。低功耗,小尺寸,并且在宽温度范围内具有出色的温度稳定性。

  •  1至137 MHz任意频率,精度为小数点后6位

  •  行业标准封装(2016、2520、3225、5032和7050)

  •  SOT23-5引线封装,具有更高的板级可靠性和可制造性

  •  FlexEdge?可配置的上升/下降时间,压摆率为0.25至40 ns,可降低EMI

 

型号

频率范围

频率稳定度

(ppm)

输出类型

工作电压

(V)

工作温度范围

(°C)

封装尺寸

(mm)

SiT8008

1MHz to  110 MHz

±20
  ±25
  ±50

LVCMOS

1.8 - 3.3

-20 ~ +70
  -40 ~ +85

2.0x1.6

2.5x2.0

3.2x2.5

5.0x3.2

7.0x5.0

SiT8009

115MHz to 137 MHz

±20
  ±25
  ±50

LVCMOS

1.8 - 3.3

-20 ~ +70
  -40 ~ +85

2.0x1.6

2.5x2.0

3.2x2.5

5.0x3.2

7.0x5.0

SiT1602

52个标准频率

±20
  ±25
  ±50

LVCMOS

1.8-3.3

-20 ~ +70
  -40 ~ +85

2.0x1.6

2.5x2.0

3.2x2.5

5.0x3.2

7.0x5.0

SiT8021

1 MHz to 26 MHz

±50
  ±100

LVCMOS

1.8

2.25~3.63

-20 ~ +70
  -40 ~ +85

1.5 x 0.8

SiT2002

115MHz to 137MHz

±20
  ±25
  ±50

LVCMOS

1.8 - 3.3

-20 ~ +70
  -40 ~ +85

SOT23(2.9  x 2.8)

SiT2001

1MHz to   110MHz

±20
  ±25
  ±50

LVCMOS

1.8~3.63

-20 ~ +70
  -40 ~ +85

SOT23(2.9  x 2.8)

 

 

单端低抖动有源晶振

SiTime MEMS低抖动有源晶振实现了0.6ps的低相位抖动和±10PPM的频率稳定度。SiTime低抖动MEMS硅晶振解决方案被誉为首个超过SONET标准的MEMS时钟解决方案。低抖动MEMS硅晶振是音频、视频、电信、网络和存储应用的理想选择,可直接代替传统石英晶振。

  •  支持1-220MHz之间任意频点,精度为小数点后6位

  •  工作电压:1.8V,2.5V-3.3V

  •  业界标准封装:2520,3225,5032和7050封装

  •  -40至+ 85°C范围内10 ppm的频率稳定性

 

型号

频率范围

频率稳定度

(ppm)

输出类型

工作电压

工作温度范围

(°C)

封装尺寸

(mm)

SiT8208

1MHz to 80MHz

±10
  ±20
  ±25
  ±50

LVCMOS

1.8 V

2.5 V

2.8 V

3.3 V

-20 ~ +70
  -40 ~ +85

2.5x2.0

3.2x2.5

5.0x3.2

7.0x5.0

SiT8209

80MHz to   220 MHz

±10
  ±20
  ±25
  ±50

LVCMOS

1.8 V

2.5 V

2.8 V

3.3 V

-20 ~ +70
  -40 ~ +85

2.5x2.0

3.2x2.5

5.0x3.2

7.0x5.0