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MST8011:全硅MEMS晶振,频率范围1MHz-180MHz

  • 1 MHz 到 180 MHz间任意频率精确到1Hz

  • 出色的全温频率稳定性: 低至±20 ppm

  • 工作温度范围: -40°C to +85°C  (-55°C or +125°C  )

  • 宽电压工作范围:1.62V to 3.63V;LVCMOS/HCMOS 兼容输出

  • 多种封装可选:2.0 x 1.6, 2.5 x 2.0, 3.2 x 2.5


规格参数

MST8011:全硅MEMS晶振,频率范围1MHz-180MHz

 【量产】

MST8011主图01.jpg 

 

特性

 

1 MHz 到 180 MHz间任意频率精确到1Hz

出色的全温频率稳定性: 低至±20 ppm

工作温度范围: -40°C to +85°C  (-55°C or +125°C  联系拓蒂电子:13501997132(微信同号))

宽电源工作范围:1.62V to 3.63V

卓越的抗冲击:>60,000g

卓越的抗振动:>70g

G灵敏度:<0.1ppb/g

快速启动:<5ms

LVCMOS/HCMOS 兼容输出

无铅,符合 RoHS 和 REACH 标准

多种封装可选:2.0 x 1.6, 2.5 x 2.0, 3.2 x 2.5 mm x mm

 

规格

 

型号

MST8011

输出频率

1MHz-180MHz

频率稳定度(ppm

±20,±25,±50

供电电压

1.62V to 3.63V

工作温度范围 (°C

-20 to +70, -40 to +85, -40 to +105, -40 to +125, -55 to +125

电流功耗

4mA 典型值@ 1.8V 无负载

输出类型

LVCMOS / HCMOS

占空比

45% ~ 55%

抗冲击性

>60,000 g

抗振动

>70g

G灵敏度

<0.1ppb/g

优异的抖动性能

12kHz~20MHz RMS Phase Jitter:1.3ps

MSL

1

封装尺寸(mm^2

SMD: 2.0 x 1.6, 2.5 x 2.0, 3.2 x 2.5

  

应用

     DVR、IP高清摄像头、平板电脑、固态硬盘、数据中心、

  服务器、PLC、工业控制、电力设备、新能源、医疗设备等