XG5032HAN-拓蒂电子（上海）有限公司

XG5032HAN：爱普生 (EPSON) 晶振、晶体振荡器，低抖动SAW振荡器，输出：HCSL

晶体振荡器，低抖动SAW振荡器：XG5032HAN
频率范围: 100MHz to 200MHz
电源电压: 2.5V Typ. / 3.3V Typ
输出: HCSL；功能: Output enable (OE)
外部尺寸: 5.0 × 3.2 × 1.4mm
SAW单元的低抖动和低相位噪声

规格参数

XG5032HAN：爱普生 (EPSON) 晶振、晶体振荡器，低抖动SAW振荡器，输出：HCSL

XG5032HAN常用频率列表如下：

规格型号	产品编码	MOQ (PCS)
XG5032HAN	X1M000461xxxx00	1000
XG5032HAN 100.000000MHz CJAA	X1M000461000200	1000
XG5032HAN 125.000000MHz CJAA	X1M000461xxxx00	1000
XG5032HAN 156.250000MHz CJAA	X1M000461xxxx00	1000

特征

爱普生(EPSON) 晶体振荡器，低抖动SAW振荡器：XG5032HAN

· 频率范围: 100MHz to 200MHz

· 电源电压: 2.5V Typ. / 3.3V Typ

· 输出: HCSL

· 功能: Output enable (OE)

· 外部尺寸: 5.0 × 3.2 × 1.4mm

· SAW单元的低抖动和低相位噪声

推荐应用领域

· 通信系统

· 通信设备

· 基站

规格 (特征)

项目	符号	规格说明	条件 / 备注
输出频率范围	f₀	100MHz to 200MHz	了解有关可用的频率，请联系代理-拓蒂电子。
电源电压	V_CC	C : 3.3V ± 0.33V D : 2.5V ± 0.125V
储存温度	T_stg	-55°C to +125°C	裸存
*工作温度^1**	T_use	A : 0°C to +70°C B : -20°C to +70°C D : -5°C to +85°C
频率稳定度 *^1**	f_tol	J : ± 50 × 10^-6 L : ±100 × 10^-6
功耗	I_CC	35mA Max.	OE = V_CC, with output load
禁用电流	I_dis	15mA Max.	OE = GND
占空比	SYM	45% to 55%	at outputs crossing point
输出电压	V_OH	0.75 V Typ. , 0.66V to 0.85V	DC characteristics, Single output
输出电压	V_OL	0 V Typ. , -0.15V to 0.15V	DC characteristics, Single output
交叉电压	V_cr	0.25V to 0.55V
输入电压	V_IH	70% V_CC Min.	OE terminal
输入电压	V_IL	30% V_CC Max.	OE terminal
差分输出上升转换速率/ 下降转换速率	Rr / Rf	1V/n to 4V/ns	Between -0.15% and 0.15 differential output
振荡启动时间	t_str	10ms Max.	Time at minimum supply voltage to be 0s
相位抖动	t_PJ	0.3ps Max.	f₀ ≦ 160 MHz	Offset frequency: 12kHz to 20MHz
		0.4ps Max.	160 MHz < f₀ ≦ 175 MHz
		0.2ps Max.	f₀ > 175 MHz
频率老化	f_aging	± 10 × 10^-6 / year Max.	First year	+25°C , First year V_CC= 2.5V , 3.3V
频率老化	f_aging	A : Included in Frequency tolerance	10years	+25°C , First year V_CC= 2.5V , 3.3V

*1频率公差包括初始频率公差、温度变化、电源电压变化和回流漂移，以及10年老化（+25°C，10年）。

产品命名规则

XG7050HAN等系列晶振产品名称参数：

(1) 产品名称 (标准形式)

XG7050HAN 100.000000MHz C J A A

① ② ③ ④⑤⑥⑦

① Model

② Output (H: HCSL)

③ Frequency

④ Supply voltage (C: 3.3 V Typ., D: 2.5 V Typ.)

⑤ Frequency tolerance (J: ±50 × 10^-6 Max., L: ±100 × 10^-6 Max.)

⑥ Operating temperature (A: 0°C to +70°C, B: -20°C to +70°C, D: -5°C to +85°C)

⑦ Frequency aging (A: Frequency tolerance including aging, N: Frequency tolerance excluding aging)

(2) 产品型号 / 产品编码 (空白部分由每个详细规范决定。)

XG7050HAN X1M000461xxxx00

① ② ③ ④ ⑤

① Crystal devices ② Model ③ Pb free code（1：EU RoHS / Pb free）

④ Detail specifications

⑤ Packing(00：Standard packing)

测量电路

XG5032HAN Measurement circuit.png

• 去耦电容1（约0.01µF至0.1µF）位于Vcc和GND之间。

• 去耦电容2（约10µF）紧密放置在电路板上的电源端子之间。

• 输出线路长度L估算如下：

External dimensions (Unit: mm)

XG5032HAN External dimensions.png

• OE引脚=高：指定频率输出。

• OE引脚=低：输出为高阻抗#2和#3，连接至盖子。

Footprint (Recommended) (Unit: mm)

XG5032HAN footprint.png

为保持稳定运行，在尽可能靠近晶体产品电源端子的位置（Vcc-GND之间）提供0.01µF至0.1µF的去耦电容。