VG7050CDN-拓蒂电子（上海）有限公司

VG7050CDN：爱普生 (EPSON) 压控晶振、晶体振荡器（VCXO）输出：CMOS

VG7050CDN：爱普生 (EPSON) 压控晶振、晶体振荡器（VCXO）输出：CMOS

VG7050CDN常用频率列表如下：

爱普生(EPSON)压控晶振(VCXO)： VG7050CDN

· 频率范围: 85 MHz to 170 MHz

· 电源电压: 3.3 V Typ.

· 绝对牵引范围（频率控制范围-频率容差）: ± 50 × 10^-6 Min

· 工作温度: -40 °C to +85 °C; -40 °C to +105 °C

· 外部尺寸: 7.0 × 5.0 × 1.5 mm

· 输出: CMOS

· 功能: Output Enable(OE)

· 通信机

· 移动电话

· 寻呼机

· 全球定位系统（GPS）

规格 (特征)

项目	符号	规格说明	条件 / 备注
输出频率范围	f₀	85 MHz to 170 MHz	请联系代理-拓蒂电子了解可用频率。
电源电压	V_CC	3.3 V ± 0.165 V
储存温度	T_stg	-55 °C to +125 °C	作为单一产品存储。
工作温度	T_use	G: -40 °C to +85 °C H: -40 °C to +105 °C
功耗	I_CC	30 mA Max.
频率稳定度	f_tol	± 50 × 10^-6 Max.	Includes initial tolerance, temperature change, V_CC change and 10years aging at +25 °C At V_C = 1.65 V, reference to f₀
*绝对牵引范围^1**	APR	± 50 × 10^-6 Min.	V_C = 1.65 V ± 1.65 V
输入电阻	Rin	10 MΩ Min.	DC level
频率变化极性	-	Positive slope	V_C = 0 to 3.3 V
占空比	SYM	45 % to 55 %	50 % V_CC level
高输出电压	V_OH	V_CC - 0.4 V Min.
低输出电压	V_OL	0.4 V Max.
输出负载条件 (CMOS)	L_CMOS	15 pF Max.
高输入电压	V_IH	70 % V_CC Min.	V_IH or Open : Enable
低输入电压	V_IL	30 % V_CC Max.	V_IL or GND : Disable
上升/下降时间	Tr / Tf	2 ns Max.	20 % V_CC to 80 % V_CC level
启动时间	T_str	10 ms Max.	Time at minimum supply voltage to be 0 s

*1绝对牵引范围=频率控制范围-频率公差。

*接通V_CC电源时，请保持V_C引脚开路或接地。

VG7050CDN等系列晶振产品名称参数：

(1) 产品名称 (标准形式)

VG7050CDN 122.880000MHZ C J G H B A

① ② ③ ④⑤⑥⑦⑧⑨

① Model ② Output (C: CMOS) ③ Frequency ④ Supply voltage (C: 3.3 V Typ)

⑤ Frequency tolerance (J: ±50 × 10-6 Max.)

⑥ Operating temperature (G: -40 to +85°C, H: -40 to +105°C )

⑦ OE Function (H: Active High)

⑧Absolute Pull Range (B: ±50 × 10^-6 Min.)

⑨ Output Standby Type ( A: High-Z)

(2) 产品型号 / 产品编码 (空白部分由每个详细规范决定。)

VG7050CDN X1G004861xxxx00

① ② ③ ④ ⑤

① Crystal devices ② Model ③ Pb free code（1：EU RoHS / Pb free）

④ Detail specifications

⑤ Packing(00：Standard packing)

VG7050CDN External dimensions.png

为了实现较佳的抖动性能，建议V_CC和GND引脚之间的电容（0.1µF+10µF）应尽可能靠近V_CC引脚。

VG7050CDN footprint.png