TG-5006CE-拓蒂电子（上海）有限公司

TG-5006CE：爱普生(EPSON) 温补晶振TCXO、微型尺寸薄型、高稳定性

TG-5006CE：爱普生(EPSON) 温补晶振TCXO、微型尺寸薄型、高稳定性

TG-5006CE常用频率列表如下：

EPSON 温补晶振TCXO / VC-TCXO：TG-5006CE

•频率范围：13MHz 至 20MHz，26MHz 至 40MHz

•电源电压：1.8V / 2.8V / 3.0V / 3.3V

•频率/温度特性：±0.5×10^-6 Max或±0.5×10^-6 Max

•外部尺寸：3.2×2.5×0.9mm

•特点：高稳定性、低功耗（1.8V）

•应用：

GPS、无线通信设备（CDMA、WCDMA、LTE、WiMAX等）

l GPS、 RF

l 无线通信设备

l CDMA、WCDMA、LTE、WiMAX等等

规格 (特征)

项目	符号	规格		条件 / 备注
		VC-TCXO	TCXO
输出频率范围	f₀	13.000 MHz to 20.000MHz 26.000 MHz to 40MHz
		16.367667 MHz, 16.368 MHz, 16.369 MHz, 19.2 MHz, 26 MHz and 38.4 MHz		Standard frequency
电源电压	V_CC	1.8 V ±0.1 V / 2.8 V ± 5 % / 3.0 V ± 5 % / 3.3 V ± 5 %		(Supply voltage range: 1.7V to 3.465V)
储存温度	T_stg	-40°C to +90°C		Store as single product.
工作温度	T_use	-30°C to +85°C
频率稳定度	f_tol	±2.0 x 10^-6 Max.		After reflow, V_C=0.9V, +25°C
频率/温度特性	fo-T_C	±0.5 x 10^-6 Max./-30 °C to +85 °C		High stability version for GPS
		±2.0 × 10^-6 Max./-30 °C to +85 °C		Standard stability version
频率/负载系数	fo-Load	±0.2 × 10^-6 Max.		10kΩ // 10pF ±10%
频率/电压系数	fo-V_CC	±0.2 × 10^-6 Max.		V_CC ± 5 %
频率老化	f_age	±1.0 × 10^-6 Max.		+25°C, First year
功耗	I_CC	1.5mA Max.		13 MHz≤f0≤26 MHz
		2.0mA Max.		26 MHz<f0≤40 MHz
输入电阻	Rin	500kΩ Min.	-	V_C- GND (DC)
频率控制范围	f_cont	±5.0 × 10^-6 to ±12.0 ×10^-6	-	V_C=0.9V ± 0.6V (Vcc =1.8 V) or VC=1.4 V ±1.0 V (Vcc =2.8 V)
频率变化极性	-	Positive polarity	-
占空比	SYM	40% to 60%		GND level (DC cut)
输出电压	V_PP	0.8V Min.		Peak to peak
输出负载	Load_R	10kΩ		DC cut capacitor = 0.01µF
	Load_C	10pF

*注：查询除上述规格以外的其他规格，请联系代理-拓蒂电子。

TG-5006CE晶振产品名称参数：

(1) 产品名称 (标准形式)

TG-5006CE-xxx 19.200000MHz

① ② ③ ④

① Model ② Package type ③ Spec segment (Please contact us) ④ Frequency

(2) 产品型号/ 产品编码 (Blank section is decided by each detail specifications.)

TG-5006CE-xxx 19.200000MHz X1G004201xxxx00

① ② ③ ④ ⑤

① Crystal devices ② Model ③ Pb free code（1：EU RoHS / 2: Pb free）

④ Detail specifications ⑤ Packing（Recommended packing 00：2000 pcs/Reel）

TG-5006CE External dimensions.png

请保持“N.C.”引脚打开状态或GND连接。

“N.C.”引脚不能用作接地引脚。

TG-5006CE footprint.png

为了稳定运行，请在Vcc和GND之间添加旁路电容器（0.01uF至0.1uF）。请尽可能靠近TCXO。