TG-5511CB-拓蒂电子（上海）有限公司

TG-5511CB：温补晶振TCXO高稳定性、105ºC高温

频率范围：10MHz to 54MHz；输出波形：CMOS or Clipped Sine Wave
电源电压：3.3 V Typ.；频率/温度特性：±0.28×10^-6 Max.（-40oC to +85oC）
频率老化：±3.0×10^-6Max. / 20 years（符合Stratum3）
功能：+105oC高温（可选），高稳定性；外部尺寸：5.0×3.2×1.45 mm（4pins）
应用领域：网络同步、BTS、微波、Stratum3、SyncE、IEEE1588

规格参数

TG-5511CB：温补晶振TCXO高稳定性、105ºC高温

TG-5511CB常用频率列表如下：

规格型号	产品编码	MOQ (PCS)
TG-5511CB-98N 10.000000MHz	X1G006071009814	1000
TG-5511CB-94N 12.800000MHz	X1G006071009414	1000
TG-5511CB-81N 19.200000MHz	X1G006071008114	1000
TG-5511CB-91N 19.440000MHz	X1G006071009114	1000
TG-5511CB-95N 20.000000MHz	X1G006071009514	1000
TG-5511CB-79N 24.000000MHz	X1G006071007914	1000
TG-5511CB-77N 24.576000MHz	X1G006071007714	1000
TG-5511CB-90N 25.000000MHz	X1G006071009014	1000
TG-5511CB-72N 25.175000MHz	X1G006071007214	1000
TG-5511CB-92N 25.600000MHz	X1G006071009214	1000
TG-5511CB-87N 26.000000MHz	X1G006071008714	1000
TG-5511CB-76N 30.720000MHz	X1G006071007614	1000
TG-5511CB-82N 38.400000MHz	X1G006071008214	1000
TG-5511CB-96N 38.880000MHz	X1G006071009614	1000
TG-5511CB-93N 40.000000MHz	X1G006071009314	1000
TG-5511CB-80N 48.000000MHz	X1G006071008014	1000
TG-5511CB-78N 49.152000MHz	X1G006071007814	1000
TG-5511CB-97N 50.000000MHz	X1G006071009714	1000
TG-5511CB-73N 52.000000MHz	X1G006071007314	1000
TG-5511CB-74N 54.000000MHz	X1G006071007414	1000
TG-5511CB-41N 10.000000MHz	X1G006071004114	1000
TG-5511CB-42N 19.200000MHz	X1G006071004214	1000
TG-5511CB-43N 20.000000MHz	X1G006071004314	1000
TG-5511CB-44N 24.576000MHz	X1G006071004414	1000
TG-5511CB-45N 25.000000MHz	X1G006071004514	1000
TG-5511CB-46N 38.880000MHz	X1G006071004614	1000
TG-5511CB-47N 40.000000MHz	X1G006071004714	1000
TG-5511CB-48N 50.000000MHz	X1G006071004814	1000

特征

爱普生温补晶振TCXO: TG-5511CB

• 频率范围：10MHz to 54MHz

• 输出波形：CMOS or Clipped sine wave

• 电源电压：3.3 V Typ.

• 工作温度：-40ºC to +85ºC (+105ºC可选)

• 频率/温度特性：±0.28×10^-6 Max.（-40ºC至+85ºC）

• 频率斜率：±0.2×10^-6/ºC Max.温度

• 频率老化：±3.0×10^-6Max./20年（符合Stratum3）

• 自由运行精度：±4.6×10^-6 Max. / 20年（for Stratum3）

• 外部尺寸：5.0×3.2×1.45mm（4pins）

• 应用领域

网络同步、BTS、微波、Stratum3、SyncE、IEEE1588

• 功能

+105ºC高温，高稳定性

概述

TG-5511CB是一种具有CMOS或削峰正弦输出（Clipped Sine output）的高稳定性TCXO

• 需要温度为+85ºC的5G基站和边缘计算，需要室外安装、小型化和无风扇操作

• 与其他TCXO相比，它提供了多种改进，如低温斜率和相位噪声

• 符合GR-1244-CORE Stratum3和G.8262.1、G.8273.2（A级、B级）

• 注意：本产品没有电压控制（Vc）功能

规格 (特征)

项目	符号	CMOS	Clipped sine wave		条件 / 备注
输出频率范围	f₀	10 MHz to 54 MHz			Please contact us about available frequencies.
电源电压	V_CC	3.3 V ± 5 %
储存温度	T_stg	-40°C to +105°C			Storage as single product
工作温度	T_use	-40°C to +85°C (-40°C to +105°C)			Standard (Option)
a) 频率稳定度	f_tol	± 1.0 × 10^-6Max.			After reflow, +25 °C
b) 频率/温度特性	f_o-T_C	±0.28 × 10^-6 Max. (±0.25 × 10^-6 Max.)			Standard (Option)
c) 频率/负载系数	f_o-Load	± 0.1 × 10^-6 Max.			Load ± 10 %
d) 频率/电压系数	f_o-V_CC	± 0.1 × 10^-6 Max.			V_CC ± 5 %
e) 频率老化	f_age	± 0.5 × 10^-6 Max.			+25°C , First year
		± 3.0 × 10^-6 Max.			+25°C , 20 years
漂移产生(MTIE, TDEV)		符合 GR-1244CORE, ITU-T G.8262.1, G.8273.2
滞留稳定性（自由运行精度）	f_hos	± 4.6× 10^-6 Max. / 20 years			This includes Item a), b), c), d) and e)
功耗	I_CC	7.0 mA Max.		6.0 mA Max.	10 MHz ≦ f₀≦ 26 MHz
		9.0 mA Max.			26 MHz < f₀≦ 40 MHz
		10.0 mA Max.			26 MHz < f₀≦ 54 MHz
占空比	SYM	45 % to 55 %		-	GND level (DC cut)
输出电压	V_OH	90 % V_CC Min.		-
	V_OL	10 % V_CC Max.		-
	V_PP	-		0.8 V Min.	Peak to Peak
上升/下降时间	tr/tf	8.0 ns Max.		-	10 % V_CC to 90 % V_CC level Load : 15 pF
启动时间	t_str	5.0 ms Max.			T = 0 at 90 % V_CC
输出负载条件	Load	15 pF	10 kΩ//10 pF
输入电压	V_IH	70% V_CC Min.			OE terminal (Enable voltage)
	V_IL	30% V_CC Max.			OE terminal (Disable voltage)

*注：需要了解本规范中未列出的要求，请联系代理-拓蒂电子。

产品命名规则

TG-5511CB温补晶振产品名称参数：

(1) 产品名称 (标准形式)

TG-5511CB-*** 38.880000MHz

① ② ③ ④

① Model ② Package type(CB: 5.0 × 3.2 × 1.45 mm)

③ Spec segment (Please contact us)

④ Frequency

Selectable specs.: Output (CMOS, Clipped sine wave),

Frequency/temperature (±0.28 × 10^-6 Max., ±0.25 × 10^-6 Max.)

Operating temperature (-40 °C to +85 °C, -40 °C to +105 °C),

OE function (Non)

Filter function (NO-Filter)

(2) 产品型号/ 产品编码 (Blank section is decided by each detail specifications.)

TG-5510CB X1G006061xxxx14

TG-5511CB X1G006071xxxx14

① ② ③ ④ ⑤

① Crystal devices ② Model ③ Pb free code（1：EU RoHS / 2: Pb free）

④ Detail specifications ⑤ Packing（Recommended packing 14：1K pcs/Reel）

Product name	Frequency [MHz]	Product number	Selectable specs
TG-5511CB-98N	10.000	X1G006071009814	Output: CMOS Frequency/temperature: ±0.28 × 10^-6 Max. Operating temperature: -40 °C to +85 °C Filter function: NO-Filter
TG-5511CB-94N	12.800	X1G006071009414
TG-5511CB-81N	19.200	X1G006071008114
TG-5511CB-91N	19.440	X1G006071xxxx14
TG-5511CB-95N	20.000	X1G006071009514
TG-5511CB-79N	24.000	X1G006071xxxx14
TG-5511CB-77N	24.576	X1G006071007714
TG-5511CB-90N	25.000	X1G006071009014
TG-5511CB-72N	25.175	X1G006071007214
TG-5511CB-92N	25.600	X1G006071009214
TG-5511CB-87N	26.000	X1G006071xxxx14
TG-5511CB-76N	30.720	X1G006071007614
TG-5511CB-82N	38.400	X1G006071008214
TG-5511CB-96N	38.880	X1G006071009614
TG-5511CB-93N	40.000	X1G006071009314
TG-5511CB-80N	48.000	X1G006071xxxx14
TG-5511CB-78N	49.152	X1G006071007814
TG-5511CB-97N	50.000	X1G006071009714
TG-5511CB-73N	52.000	X1G006071xxxx14
TG-5511CB-74N	54.000	X1G006071xxxx14
TG-5511CB-41N	10.000	X1G006071004114	Output: CMOS Frequency/temperature: ±0.28 × 10^-6 Max. Operating temperature: -40 °C to +105 °C Filter function: NO-Filter
TG-5511CB-42N	19.200	X1G006071004214
TG-5511CB-43N	20.000	X1G006071004314
TG-5511CB-44N	24.576	X1G006071004414
TG-5511CB-45N	25.000	X1G006071004514
TG-5511CB-46N	38.880	X1G006071004614
TG-5511CB-47N	40.000	X1G006071004714
TG-5511CB-48N	50.000	X1G006071004814

*有关产品编号的详细信息，请联系代理-拓蒂电子。

有关其他频率和规格，请联系代理-拓蒂电子。

External dimensions (Unit: mm)

TG-5510CB 5511CB External dimensions.png

Footprint (Recommended) (Unit: mm)

TG-5510CB 5511CB footprint(1).png

为保持稳定运行，在尽可能靠近晶体产品电源端子的位置（VCC-GND之间）提供0.1μF旁路电容。

TG-5511CB：温补晶振TCXO高稳定性、105ºC高温

规格参数

特征

推荐应用领域

概述

产品命名规则

External dimensions (Unit: mm)

Footprint (Recommended) (Unit: mm)